弹性波装置

本专利的专利号为201610512603.9，优先权日为2010年12月24日，申请日为2011年12月20日，授权公告日为2019年07月05日。本专利授权公告时的权利要求书如下： “1.一种弹性波装置，具有压电膜， 所述弹性波装置具备： 高声速支撑基板； 低声速膜，其层叠于所述高声速支撑基板上； 所述压电膜，其层叠于所述低声速膜上；以及IDT电极，其形成于所述压电膜的一面， 所述压电膜，以LiTaO 、LiNbO 、ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料， 3 3所述高声速支撑基板，以硅作为材料， 所述低声速膜，以如下任意一者作为材料：氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各个材料为主成分的材料， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ 的范围。 2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中， 所述IDT电极的材料，包含以下金属中的1种以上：Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W。 3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述高声速支撑基板的线膨胀系数小于所述压电膜的线膨胀系数。 4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述弹性波装置还包含粘合层、基底膜或媒质层的至少1层。 5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中， 所述媒质层是金属。 6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.2λ～0.5λ 的范围。 7.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中。 8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述压电膜的膜厚被设为0.05λ～0.5λ的范围。 9.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述压电膜由欧拉角(0±5°，θ，ψ)的单晶钽酸锂构成，欧拉角(0±5°，θ，ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2％以上的范围。 10.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中， 所述压电膜的欧拉角(0±5°，θ，ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2％以上、且以成为寄生的SV波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数成为1％以下的范围。 11.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述低声速膜的固有声阻抗小于所述压电膜的固有声阻抗。 12.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性表面波在所述压电膜进行传播。 13.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播。 14.一种弹性波装置，具有压电膜， 所述弹性波装置具备： 支撑基板； 高声速膜； 低声速膜，其层叠于所述高声速膜上； 所述压电膜，其层叠于所述低声速膜上；以及IDT电极，其形成于所述压电膜的一面， 所述压电膜，以LiTaO 、LiNbO 、ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料， 3 3所述支撑基板，以硅作为材料， 所述高声速膜，以如下任意一者作为材料：氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这各个材料的任意一种为主成分的材料、或者以这各个材料的混合物为主成分的材料， 所述低声速膜，以如下任意一者作为材料：氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者在氧化硅添加了氟或碳或硼而成的化合物、或者以这各个材料为主成分的材料， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ 的范围。 15.根据权利要求14所述的弹性波装置，其中， 所述IDT电极的材料，包含以下金属中的1种以上：A1、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W。 16.根据权利要求14所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.2λ～0.5λ 的范围。 17.根据权利要求14或15所述的弹性波装置，其中， 所述弹性波装置还包含粘合层、基底膜或媒质层的至少1层。 18.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中， 所述媒质层是金属。”请求人于2024年07月03日向国家知识产权局提出了无效宣告请求，其理由是：权利要求1-18不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1、14不符合专利法实施细则第20条第2款的规定；本专利说明书不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-18不符合专利法第22条第3款的规定，请求宣告本专利权利要求1-18无效，同时提交了如下附件： 附件1：公开号为US5446330A美国专利申请公开说明书及中文译文，公开日为1995年08月29日； 附件2：公开号为US5998907A美国专利申请公开说明书及中文译文，公开日为1999年12月07日； 附件3：名称为“Characterization of bonded wafer for RF filters with reduced TCF”的论文的复印件及中文译文，公开年份为2005年； 附件4：公开号为WO2010/100967A1国际专利申请公开说明书及中文译文，公开日为2010年09月10日； 附件5：名称为“High Performance and Miniature Surface Acoustic Wave Devices with Excellent TemperatureStability Using High Density Metal Electrodes”的论文的复印件及中文译文，公开年份为2007年； 附件6：名称为“Improvement in power durability of SAW filters”的论文的复印件及中文译文，公开年份为1995年； 附件7：名称为《Advances in Surface Acoustic Wave Technology,Systems and Applications》的书籍的复印件及中文译文，公开年份为2001年； 附件8：名称为“Highly Piezoelectric Shear-Horizontal-Type Boundary Waves”的论文的复印件及中文译文，公开年份为1997年； 附件9：名称为《Surface Acoustic Wave Filters》的书籍的复印件及中文译文，公开年份为2007年。 经形式审查合格，国家知识产权局于2024年07月08日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及证据副本转给了专利权人，同时成立合议组对本案进行审查。 2024年08月05日，请求人提交了补充意见、以及如下证据： 证据1：公开号为US5446330A美国专利申请公开说明书及中文译文，公开日为1995年08月29日； 证据2：公开号为US5998907A美国专利申请公开说明书及中文译文，公开日为1999年12月07日； 证据3：名称为“Characterization of bonded wafer for RF filters with reduced TCF”的论文的复印件及中文译文，公开年份为2005年； 证据4：公开号为WO2010/100967A1国际专利申请公开说明书及中文译文，公开日为2010年09月10日； 证据5：名称为“High Performance and Miniature Surface Acoustic Wave Devices with Excellent TemperatureStability Using High Density Metal Electrodes”的论文的复印件及中文译文，公开年份为2007年； 证据6：名称为“Improvement in power durability of SAW filters”的论文的复印件及中文译文，公开年份为1995年； 证据7：名称为《Advances in Surface Acoustic Wave Technology,Systems and Applications》的书籍的复印件及中文译文，公开年份为2001年； 证据8：名称为“Highly Piezoelectric Shear-Horizontal-Type Boundary Waves”的论文的复印件及其中文译文，公开年份为1997年； 证据9：名称为《Surface Acoustic Wave Filters》的书籍的复印件及中文译文，公开年份为2007年； 证据10：公开号为WO2010/004741A1国际专利申请公开说明书及中文译文，公开日为2010年01月14日； 请求人认为：（1）权利要求1-13包括特征“高声速支撑基板”和“低声速膜”，权利要求14-18包括特征“高声速膜”和“低声速膜”，使得权利要求1-18的保护范围不清楚；权利要求3包括特征“线膨胀系数”，使得权利要求3的保护范围不清楚；权利要求4、5、17、18包括特征“粘合层”、“基底膜”、“媒质层”，使得权利要求4、5、17、18的保护范围不清楚；权利要求12和13分别限定了“在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性表面波在所述压电膜进行传播”和“在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播”，使得权利要求12和13的保护范围不清楚。因此，权利要求1-18的保护范围不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。 （2）权利要求1和14缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。 （3）权利要求1限定了“所述高声速支撑基板，以硅作为材料”，导致权利要求1-13没有以说明书为依据，得不到说明书的支持；权利要求1和14限定了“所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ的范围”， 导致权利要求1-18没有以说明书为依据，得不到说明书的支持；权利要求6和16分别限定了“所述低声速膜的膜厚被设为0.2λ～0.5λ的范围”，导致权利要求6和16没有以说明书为依据，得不到说明书的支持； 权利要求8限定了“在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述压电膜的膜厚被设为0.05λ～0.5λ的范围”，导致权利要求8没有以说明书为依据，得不到说明书的支持。因此，权利要求1-18没有以说明书为依据，得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。 （4）本专利的说明书公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定。 （5）权利要求1-4、6-8、12-13相对于证据10不具备新颖性。 （6）权利要求1相对于证据1和本领域公知常识的结合、证据1和证据3（或证据8、或证据10）和本领域公知常识的结合、证据2和证据1和证据10和本领域公知常识的结合、证据2和证据10和本领域公知常识的结合、证据10、证据10和本领域公知常识的结合、证据10和证据1和本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求2的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据1、证据5-证据7和证据10公开；权利要求3的附加技术特征被证据1、或证据2、或证据10公开；权利要求4的附加技术特征是本领域公知常识， 或被证据7、或证据10公开；权利要求5的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据7公开；权利要求6的附加技术特征被证据1、或证据10公开；权利要求7的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据10公开；权利要求8的附加技术特征被证据1、或证据10公开；权利要求9的附加技术特征被证据1、或证据2、 或证据4公开；权利要求10的附加技术特征被证据1、或证据2、或证据4公开；权利要求11的附加技术特征被证据1公开；权利要求12的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据2 、或证据4、或证据10公开； 权利要求13的附加技术特征是被证据2（或证据4、或证据10）和本领域公知常识（证据8）的结合、证据8和证据2和本领域公知常识的结合、或证据10公开，因此，权利要求2-13也不具备创造性。权利要求14相对于证据1和本领域公知常识的结合、证据1、证据3（或证据10）和本领域公知常识的结合；证据2和本领域公知常识的结合、证据2、证据1、证据10和本领域公知常识的结合、证据10、证据10和本领域公知常识的结合、证据10、证据1和本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求15的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据1、证据5-证据7、证据10公开；权利要求16的附加技术特征被证据1、或证据10公开；权利要求17的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据7、或证据10公开；权利要求18的附加技术特征是本领域公知常识，或被证据7公开，因此，权利要求15-18也不具备创造性。 专利权人针对上述无效宣告请求于2024年08月07日提交了意见陈述书，并修改了权利要求书。 2024年09月12日，专利权人提交了意见陈述书，并再次修改了权利要求书。专利权人删除了权利要求1、14中的部分并列技术方案，并对权利要求1、14的表述进行了适应性的调整，仅保留“所述低声速膜， 以氧化硅、或者以氧化硅为主成分的材料作为材料”的技术方案。专利权人对证据2的中文译文有异议，并提交了证据相关部分的中文译文。专利权人认为本专利的所有权利要求均符合专利法及其实施细则的相关规定。修改后的权利要求书如下： “1.一种弹性波装置，具有压电膜， 所述弹性波装置具备： 高声速支撑基板； 低声速膜，其层叠于所述高声速支撑基板上； 所述压电膜，其层叠于所述低声速膜上；以及IDT电极，其形成于所述压电膜的一面， 所述压电膜，以LiTaO 、LiNbO 、ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料， 3 3所述高声速支撑基板，以硅作为材料， 所述低声速膜，以如下任意一者作为材料：氧化硅、或者以氧化硅为主成分的材料， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ 的范围。 2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中， 所述IDT电极的材料，包含以下金属中的1种以上：Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W。 3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述高声速支撑基板的线膨胀系数小于所述压电膜的线膨胀系数。 4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述弹性波装置还包含粘合层、基底膜或媒质层的至少1层。 5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中， 所述媒质层是金属。 6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.2λ～0.5λ 的范围。 7.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中。 8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述压电膜的膜厚被设为0.05λ～0.5λ的范围。 9.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述压电膜由欧拉角(0±5°，θ，ψ)的单晶钽酸锂构成，欧拉角(0±5°，θ，ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2％以上的范围。 10.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中， 所述压电膜的欧拉角(0±5°，θ，ψ)位于以SH波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数为2％以上、且以成为寄生的SV波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数成为1％以下的范围。 11.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 所述低声速膜的固有声阻抗小于所述压电膜的固有声阻抗。 12.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性表面波在所述压电膜进行传播。 13.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中， 在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜，弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播。 14.一种弹性波装置，具有压电膜， 所述弹性波装置具备： 支撑基板； 高声速膜； 低声速膜，其层叠于所述高声速膜上； 所述压电膜，其层叠于所述低声速膜上；以及IDT电极，其形成于所述压电膜的一面， 所述压电膜，以LiTaO 、LiNbO 、ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料， 3 3所述支撑基板，以硅作为材料， 所述高声速膜，以如下任意一者作为材料：氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这各个材料的任意一种为主成分的材料、或者以这各个材料的混合物为主成分的材料， 所述低声速膜，以如下任意一者作为材料：氧化硅、或者以氧化硅主成分的材料， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ 的范围。 15.根据权利要求14所述的弹性波装置，其中， 所述IDT电极的材料，包含以下金属中的1种以上：A1、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W。 16.根据权利要求14所述的弹性波装置，其中， 在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.2λ～0.5λ 的范围。 17.根据权利要求14或15所述的弹性波装置，其中， 所述弹性波装置还包含粘合层、基底膜或媒质层的至少1层。 18.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中， 所述媒质层是金属。”2024年08月16日，合议组将请求人于2024年08月05日提交的意见陈述书及其附件转送给专利权人， 并将专利权人于2024年08月07日提交的意见陈述书及其附件转送给请求人。 2024年09月13日，合议组将专利权人于2024年09月12日提交的意见陈述书及其附件转送给请求人。 2024年10月12日，合议组向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2024年12月17日举行口头审理。 口头审理如期举行，请求人和专利权人均委托代理人出席了本次口头审理。在口头审理过程中，明确了以下事项： （1）双当事人对合议组成员变更无异议，对合议组成员以及书记员无回避请求。 （2）请求人对专利权人对权利要求书所做的修改无异议，合议组告知双方当事人本次口头审理所针对的文本为专利权人于2024年09月12日提交的权利要求书，双方当事人均无异议。 （3）请求人当庭提交了以下公知常识性证据： 公知常识性证据1：《声表面波器件模拟与仿真》； 公知常识证据2：《Surface Acoustic Wave Filters》 合议组当庭将公知常识证据1、公知常识证据2转交给专利权人。 （4）请求人当庭演示了当庭上网登录了时间戳签发机构联合信任时间戳服务中心的网站，得到验证成功后的可信时间戳认证证书，当庭播放了经过验证的视频文件。专利权人对证据1-证据10、公知常识性证据1- 公知常识性证据2的真实性和和公开日期无异议。专利权人对证据2的中文异议准确性有异议，对其他证据的中文译文准确性无异议。请求人认可专利权人提交的证据2的中文译文。合议组告知双方当事人证据2的译文以专利权人提交的译文以及请求人提交的其余部分的中文译文为准，双方当事人均表示无异议。专利权人认为公知常识性证据1-公知常识性证据2不属于教科书，不认可其可作为公知常识性证据。 （5）请求人当庭明确无效理由和证据以补充意见的书面意见和提交补充意见时提交的证据为准。 （6）请求人认为本专利说明书第0015段记载了高声速和低声速的定义为：高声速膜，其形成于所述支撑基板上，且传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的弹性波声速高；低声速膜，其层叠于所述高声速膜上，且传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的体波声速低。专利权人认为本专利说明书第0074段记载了高声速和低声速的定义为：高声速膜是指，较之于在压电膜5传播的表面波或边界波的弹性波，该高声速膜中的体波的声速为高速的膜。低声速膜是指，较之于在压电膜5传播的体波，该低声速膜中的体波的声速为低速的膜。双方当事人均认可弹性波包括表面波和体波，表面波是在介质的表面，体波是在介质内的。请求人认为压电膜传播的弹性波是以它的弹性波主模式确定的，如果它是板波压电器件，那么就是看板波或者体波，如果它是表面波器件，那么就看表面波。专利权人认为证据10未公开本专利权利要求1的低声速膜、高声速支撑基板，也未公开“低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ的范围”，本专利机电耦合系数是不变的， 证据10的电耦系数能看出是增加的。合议组当庭询问双方当事人基板和高速膜分成两层结构与权利要求1高速支撑基板一层结构是否为常用结构，请求人认为其是本领域公知常识，专利权人不认可其是本领域公知常识。双方就全部无效理由充分陈述了意见。 至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。

1、审查基础专利权人于2024年09月12日修改了权利要求书，其中：删除了权利要求1、14中的部分并列技术方案， 并对权利要求1、14的表述进行了适应性的调整，仅保留“所述低声速膜，以氧化硅、或者以氧化硅为主成分的材料作为材料”的技术方案。经审查，上述修改符合专利法及其实施细则以及审查指南对权利要求修改的相关规定，并且请求人对权利要求书的上述修改无异议，因此本决定所针对的权利要求书为专利权人于2024年09月12日经修改的权利要求书第1至18项。 2、证据认定证据1、证据10为专利文献，专利权人对其真实性、公开日期及相关中文译文的准确性无异议，合议组也未发现影响其真实性的瑕疵，因此对其真实性和公开日期予以认可。由于上述证据的公开日早于本专利申请日，因此可作评价本专利创造性的现有技术证据，证据1、证据10所公开的内容以请求人提交的中文译文为准。 3、关于本专利中相关术语的理解请求人认为关于本专利“高声速支撑基板”、“高声速膜”中“高声速”，“低声速膜”中“低声速”的解释应依据本专利说明书第0015段的记载。专利权人认为关于本专利“高声速支撑基板”、“高声速膜”中“高声速”，“低声速膜”中“低声速”的解释应依据本专利说明书第0074段的记载。 合议组认为：如果权利要求中出现的技术术语在本领域无通用含义，但在说明书对其有明确的解释或定义则遵从说明书，说明书可用于说明和解释权利要求，因此，在必要时可借助说明书来理解权利要求中的相关技术术语。本专利说明书第0015段、0074段均给出“高声速”、“低声速”的解释，上述两部分记载内容的差异在于与高声速传播的体波比较的对象不同，本专利说明书第0015段中比较的对象是压电膜进行传播的弹性波，本专利说明书第0074段中比较的对象是压电膜传播的表面波或边界波。在本领域，弹性波包括表面波和体波是本领域公知常识，并且双方当事人也均认可弹性波包括表面波和体波，可见，本专利说明书第0015段与第0074段记载内容不存在冲突、矛盾之处，本专利说明书第0074段记载的压电膜传播的表面波或边界波实质上是对本专利说明书第0015段记载的弹性波的进一步解释，并且本专利说明书第0074段明确记载“高声速”、“低声速”的解释用于本专利整个说明书，综上所述，应基于本专利说明书第0074段记载的内容对权利要求中的“高声速”、“低声速”进行理解，即“高声速”是指高声速膜中体波声速比在压电膜传播的表面波或边界波的弹性波声速高，“低声速”是指低声速膜中体波声速比在压电膜传播的体波声速低。 4、关于专利法第22条第3款专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步， 该实用新型具有实质性特点和进步。 4.1关于权利要求1权利要求1保护一种弹性波装置，证据10公开了一种板波元件，并公开了以下技术特征（参见证据10中文译文第0053、0055、0057、0070-0073段、附图11-12）：图7是实施形态2的板波元件205的截面示意图。板波元件205具有：压电体206、设置在压电体206的上表面206A上的梳齿电极207、设置于压电体206的上表面206A和梳齿电极207的上表面207A以覆盖梳齿电极207的介质层208，和设于压电体206的下表面206B的介质层209。梳齿电极207设置在压电体206的上表面206A的激励区域206C。介质层209位于激励区域206C的正下方。压电体206、梳齿电极207、介质层208、209在与压电体206的上表面206A和下表面206B成直角的法线方向N201上层叠。压电体206具有法线方向N201的厚度H21，介质层208、209具有法线方向N201的厚度H22。虽然是对介质层208、209的法线方向N201的厚度为相同的厚度H22的情形进行说明，但是也可以是不同的厚度。介质层209隔着压电体206与梳齿电极207相对。梳齿电极207具有法线方向N201的厚度T11。介质层208以比由梳齿电极207激励的板波的速度更快的速度传播横波。介质层209以比在压电体206传播板波的速度更快的速度传播横波。 在实施形态2中，压电体206通过Z切割X传播的铌酸锂单晶基板构成，但也可以通过钽酸锂单晶基板或铌酸钾单晶基板构成。又，不限于单晶基板，压电体206也可由压电薄膜构成。 介质层208、209由金刚石、硅、氮化硅、氮化铝、或者氧化铝中的至少一种构成。 图11是实施形态2的另一其他板波元件2205的截面示意图。在图11中，在与图7所示的板波元件205相同的部分标注相同的参照符号，并省略其说明。图11所示的板波元件2205还具有设置在介质层208和压电体206之间的介质层211、设置在介质层209和压电体206之间的介质层261。即板波元件2205具有：压电体206、设置在压电体206的上表面206A上的梳齿电极207、设置于压电体206的上表面206A和梳齿电极207的上表面207A以覆盖梳齿电极207的介质层211、设置在介质层211的上表面的211A上的介质层208、设于压电体206的下表面206B的介质层261、以及设置在介质层261的下表面的261B的介质层209。 梳齿电极207设置在压电体206的上表面206A的激励区域206C。介质层261、209位于激励区域206C的正下方。介质层208位于激励区域206C的正上方。压电体206、梳齿电极207、介质层208、209、211、216在与压电体206的上表面206A和下表面206B成直角的法线方向N201上层叠。压电体206具有法线方向N201的厚度H21，介质层208、209具有法线方向N201的厚度H22。介质层211、261具有法线方向N201的厚度H23。介质层261隔着压电体206与梳齿电极207相对。梳齿电极207具有法线方向N201的厚度T11。板波元件2205可以不设置介质层211、261中的一个。即，介质层208、209中的一个可以与压电体206抵接。 介质层211、261是以比在介质层208、209传播的横波的速度小的速度传播横波的低音速层。由此，可以增大板波元件205的耦合系数，下面对其进行说明。 通过梳齿电极207在压电体206被激励的板波具有波长λ。设由铌酸锂构成的压电体206的厚度H21相对于波长λ的比H21/λ为0.4。设由金刚石构成的介质层208、介质层209的厚度H22相对于波长λ的比H22/ λ为2。介质层211、261由氧化硅构成。使介质层211、261的厚度H23变化时的板波元件205的机电耦合系数k2的验证结果示于图12中。图12的纵轴表示板波元件205的机电耦合系数k2，横轴表示由主要波的波长λ标准化的介质层211、261的厚度H23即比H23/λ。在图12中，H23/λ为0的板波元件是图7所示的板波元件205。如图12所示，随着介质层211、261的厚度H23的增大，板波元件205的机电耦合系数k2增大，显著地得到了改善。接着，未设置有作为低音速层的介质层211、261的板波元件205与设置有具有H23/ λ为0.1的厚度H23的介质层211、206的板波元件2205的位移分布的验证结果在图13中示出。与图8相同地，在图13中，纵轴表示由峰值标准化了的振幅，横轴表示由波长λ标准化了的在法线方向N201上的位置。 如图13所示，通过设置有作为低音速层的介质层211、261，可以使位移分布的峰值接近存在有梳齿电极207的压电体206和介质层211的界面。这样，通过使位移分布集中在梳齿电极207的周边，可以增大板波元件205的机电耦合系数k2。 在压电体206为单晶基板的情况下，可以通过直接接合等的技术将介质层209和压电体206接合。在压电体206由薄膜构成时，可以在介质层209的上表面设置使压电体206能够定向的缓冲层，采用溅射或者CVD等技术在该缓冲层的上表面形成成为压电体206的压电薄膜。又，通过采用玻璃、蓝宝石、硅等热膨胀系数小的材料作为介质层209，可以实现频率温度系数小、且频率温度特征提高了的板波元件205。 由上可知，证据10的板波元件2205相当于本专利的弹性波装置。 证据10的介质层209以比在压电体206传播板波的速度更快的速度传播横波，对于本领域技术人员来说， 压电体内传播的板波速度大于压电体表面传播的表面波或边界波的速度是本领域公知常识，证据10介质层209的横波的速度必然大于压电体表面传播的表面波或边界波的速度，因此，证据10的介质层209相当于本专利的高声速支撑基板。证据10公开了采用金刚石、硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、玻璃、蓝宝石、硅等热膨胀系数小的材料作为介质层209的材料，其相当于本专利的所述高声速支撑基板，以硅作为材料。 证据10的介质层261层叠在介质层209上，介质层261是以比在介质层208、209传播的横波的速度小的速度传播横波的低音速层，证据10的介质层261层相当于本专利的低声速膜，其层叠于所述高声速支撑基板上；证据10的介质层261由氧化硅构成，因此，证据10公开了本专利低声速膜以氧化硅、或者以氧化硅为主成分的材料。 证据10的压电体206层叠在介质层261上，其相当于本专利的压电膜，其层叠于所述低声速膜上，证据10压电体206可以由铌酸锂单晶基板或过钽酸锂单晶基板构成，证据10公开了本专利压电膜以LiTaO 、 3LiNbO 作为材料； 3证据 10 的梳齿电极 207 层叠在压电体 206 上，相当于本专利的 IDT 电极，其形成于所述压电膜的一面，。 证据10通过梳齿电极207在压电体206被激励的板波具有波长λ，证据10附图12示出了介质层261的厚度为0.1～0.2λ。证据10附图12的横坐标和纵坐标参数的单位与本专利附图16的横坐标和纵坐标参数的单位均不一致，而坐标单位不一致，会导致数据曲线形状的不同，证据10附图12所示出的电耦系数的曲线不能与本专利附图16所示出的电耦系数的曲线直接进行比较，并且由本专利说明书第0145段记载“从图15以及图16明确可知，只要高声速膜4满足前述的高声速膜4的条件，则即使变更高声速膜4的材质以及氧化硅膜的膜厚，机电耦合系数以及声速也几乎不变化。”可知本专利机电耦合系数是存在变化的，依据本专利说明书上述内容不能毫无疑义地确定当高声速膜厚度在0.1λ～0.2λ时，机电耦合系数是恒定不变的，即依据本专利附图16与证据10附图12存在的差异，不能直接毫无疑义地确定本专利的电耦系数合是恒定不变的， 也不能直接毫无疑义地确定证据10的电耦系数的曲线在以本专利附图16的横坐标和纵坐标参数的单位绘制时表现为增加，可见，虽然本专利附图16与证据10附图12存在的差异，但两者并不存在明显冲突矛盾之处， 并且证据10上述内容公开了梳齿电极207在压电体206被激励的板波具有波长λ，介质层261的厚度为0.1～ 0.2λ，因此，证据10公开了本专利在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时，所述低声速膜的膜厚被设为0.1λ～0.5λ的范围。 由上可知，权利要求1和证据10相比存在以下区别技术特征：（1）本专利的低声速膜中体波声速比在压电膜传播的体波声速低；而证据10的介质层261传播横波音速是比介质层209传播的横波速度低，即本专利的低声速膜中体波声速和证据10的介质层261传播横波音速的比较的对象不同，本专利的低声速膜中体波声速的比较对象是在压电膜传播的体波声速，而证据10的介质层261传播横波音速的比较对象是介质层209传播的横波速度。（2）本专利压电膜以ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料；而证据10没有公开压电膜以ZnO、A1N或PZT作为材料。 基于上述区别技术特征可以确定，本专利权利要求1实际解决的技术问题是：如何选择低声速膜中体波声速的比较对象，以及如何选择压电膜的材料。 对于上述区别技术特征（1），虽然证据10的介质层261传播横波音速的比较对象是介质层209传播的横波速度，而不是压电体传播的体波声速，但证据10公开了介质层261传播横波音速低于比介质层209传播的横波速度，证据10明确给出了在介质层209和压电体206之间设置传播横波音速较低的介质层261的技术指引，并且证据10的介质层261的材质与本专利的低声速膜的材质相同，均是氧化硅，证据10的压电体的材质与本专利压电膜的材质也相同，均可以为LiTaO 、LiNbO ，因此，证据10的介质层261传播横波音速3 3实质上不仅低于介质层209传播的横波速度，同时也低于压电体传播的体波声速，本领域技术人员根据证据10公开的技术方案，能够得到在介质层209和压电体206之间设置传播横波音速低的介质层，并使该低声速介质层传播横波音速低于压电体传播的体波声速的技术启示，对于本领域技术人员来说，得到上述区别技术特征（1）是显而易见的。 对于上述区别技术特征（2），证据1公开了一种具有层状结构的声表面波器件（参见证据1中文译文第3、9、26栏）：关于这些特性，众所周知，通过在介电材料或半导体材料的基板上层压机电耦合系数大的压电材料（例如压电陶瓷（PZT）），可以获得机电耦合系数大的基板。在采用溅射法、化学气相沉积法或真空沉积法等薄膜技术形成压电材料的情况下，可以获得相当好的连接界面，但所得到的压电特性比整体材料差得多。而且，这种方法所能获得的压电材料种类仅限于ZnO、AlN等，产品的晶体取向也会受基板晶体取向的限制，容易生长的方向仅限于C轴方向等特定方向。单晶压电薄板20的适用材料为铌酸锂、钽酸锂、 硼酸锂和石英。证据1公开了压电膜的材料可以是ZnO、A1N或PZT，因此，证据1公开了上述区别技术特征（2）。并且上述材料是本领域制作压电膜常用的材料，是本领域的公知常识。 综上所述，证据10、证据1均涉及弹性波器件，对于本领域技术人员来说能够得到技术启示将证据1、 以及本领域公知常识应用到证据10中，得到权利要求1保护的技术方案是显而易见的，不需要花费创造性的劳动，因此权利要求1相对于证据10、证据1和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 4.2关于权利要求2-13权利要求2是权利要求1的从属权利要求，其对IDT电极的材料做了进一步限定，证据10公开了（参见证据10中文译文第0056段）：在实施形态2中，梳齿电极207由铝构成，但也可以由以铝为主要成分的合金、或由铜、银、金构成的单质金属、或者以这些单质金属为主要成分的合金构成。证据10公开了权利要求2的附加技术特征中部分IDT电极的材料，并且权利要求2的附加技术特征中限定的IDT电极的材料是本领域制作IDT电极常用的材料，是本领域的公知常识。因此，在权利要求2引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求3是权利要求1的从属权利要求，其对高声速支撑基板的线膨胀系数做了进一步限定，证据10公开了权利要求3的附加技术特征（具体出处同上）：在压电体206为单晶基板的情况下，可以通过直接接合等的技术将介质层209和压电体206接合。在压电体206由薄膜构成时，可以在介质层209的上表面设置使压电体206能够定向的缓冲层，采用溅射或者CVD等技术在该缓冲层的上表面形成成为压电体206的压电薄膜。又，通过采用玻璃、蓝宝石、硅等热膨胀系数小的材料作为介质层209，可以实现频率温度系数小、 且频率温度特征提高了的板波元件205。因此，在权利要求3引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求3也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求4是权利要求1或2的从属权利要求，权利要求5是权利要求4的从属权利要求，其对利用粘合层、基底膜或媒质层对弹性波装置做了进一步限定，在本领域在各层之间设置粘合层、基底膜或媒质层， 媒介层由金属制成均是本领域公知常识，因此，在权利要求4、5引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4、5也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求6是权利要求1或2的从属权利要求，其对低声速膜的膜厚做了进一步限定，证据10公开了权利要求6的附加技术特征（具体出处同上）：通过梳齿电极207在压电体206被激励的板波具有波长λ，证据10附图12示出了介质层261的厚度为0.1～0.2λ。因此，在权利要求6引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求6也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求7是权利要求1或2的从属权利要求，其对压电膜、低声速膜和高声速支撑板做了进一步限定， 证据10公开了（参见证据10中文译文第0071段、附图13）：接着，未设置有作为低音速层的介质层211、 261的板波元件205与设置有具有H23/λ为0.1的厚度H23的介质层211、206的板波元件2205的位移分布的验证结果在图13中示出。与图8相同地，在图13中，纵轴表示由峰值标准化了的振幅，横轴表示由波长λ 标准化了的在法线方向N201上的位置。如图13所示，通过设置有作为低音速层的介质层211、261，可以使位移分布的峰值接近存在有梳齿电极207的压电体206和介质层211的界面。这样，通过使位移分布集中在梳齿电极207的周边，可以增大板波元件205的机电耦合系数k2。如证据10的图13所示，在压电体206进行传播的板波的能量的一部分分布在介质层261以及介质层209中。证据10公开了权利要求7的附加技术特征，因此，在权利要求7引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求7也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求8是权利要求1或2的从属权利要求，其对压电膜的膜厚做了进一步限定，证据10公开了权利要求8的附加技术特征（具体出处同上）：通过梳齿电极207在压电体206被激励的板波具有波长λ。设由铌酸锂构成的压电体206的厚度H21相对于波长λ的比H21/λ为0.4。因此，在权利要求8引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求8也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求9是权利要求1或2的从属权利要求，其对压电膜做了进一步限定，证据1公开了权利要求9的附加技术特征（参见证据1中文译文第1栏）：如果使用钽酸锂，在36度Y切和X态传播的条件下，机电耦合系数为5.0%，温度依赖性为30ppm/℃，声速为4,160m/s。因此，在权利要求9引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求9也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求10是权利要求9的从属权利要求，其对压电膜做了进一步限定，证据1公开了（具体出处同上）：如果使用钽酸锂，在 36 度 Y 切和 X 态传播的条件下，机电耦合系数为 5.0%，温度依赖性为30ppm/℃，声速为4,160m/s。并且证据1所公开的单晶钽酸锂的欧拉角均位于本专利附图18的区域R2内， 以成为寄生的SV波为主成分的弹性表面波模式的机电耦合系数必然也在1％以下的范围内，证据1公开了权利要求10的附加技术特征，因此，在权利要求10引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求10也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求11是权利要求1或2的从属权利要求，其对低声速膜做了进一步限定，证据1公开了（参见证据1中文译文第30栏）图20显示了实施例4第二个具体示例中的构造。在本示例中，使用声速较高的硼、 无定形碳或石墨作为非压电基板的材料，使用铌酸锂作为单晶压电薄板的材料，并使用二氧化硅或氮化硅作为无机薄膜层的材料。在证据1与本专利具有相同的器件结构和材料的情况下，证据1公开了氮化硅固有声阻抗小于压电膜的固有声阻抗，并且证据10的介质层261由氧化硅构成，压电体206由铌酸锂单晶基板或过钽酸锂单晶基板构成，在证据10的介质层261和压电体206分别与与本专利低声速膜和压电膜的器件结构和材料相同的情况下，证据10也实质上也公开了介质层261固有声阻抗小于压电体206的固有声阻抗。证据1、 证据10均公开了权利要求11的附加技术特征，因此，在权利要求11引用的权利要求不具备创造性的情况下， 权利要求11也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求12是权利要求1或2的从属权利要求，其对压电膜和IDT电极做了进一步限定，证据10公开了（参见证据10中文译文第0070段、附图13）设置于压电体206的上表面206A和梳齿电极207的上表面207A以覆盖梳齿电极207的介质层211。并且根据证据10附图13所示板波在压电体206进行传播。证据10公开了权利要求12的附加技术特征，因此，在权利要求12引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求12也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求13是权利要求1或2的从属权利要求，其对压电膜和IDT电极做了进一步限定，证据10公开了（参见证据10中文译文第0070段、附图13）设置于压电体206的上表面206A和梳齿电极207的上表面207A以覆盖梳齿电极207的介质层211。并且根据证据10附图13所示板波在所述压电膜206余介质层211的边界进行传播。证据10公开了权利要求13的附加技术特征，因此，在权利要求13引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求13也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 4.3关于权利要求14权利要求14保护一种弹性波装置，证据10公开了一种板波元件，并公开了以下技术特征（具体内容以及技术特征对比参见本决定4.1），由上可知，权利要求14和证据10相比存在以下区别技术特征：（1）本专利支撑基板和高声速膜分为两个部分，而证据10的介质层209既起到支撑基板的作用，又起到高声速膜的作用。（2）本专利的低声速膜中体波声速比在压电膜传播的体波声速低；而证据10的介质层261传播横波音速是比介质层209传播的横波速度低，即本专利的低声速膜中体波声速和证据10的介质层261传播横波音速的比较的对象不同，本专利的低声速膜中体波声速的比较对象是在压电膜传播的体波声速，而证据10的介质层261传播横波音速的比较对象是介质层209传播的横波速度。（3）本专利压电膜以ZnO、A1N或PZT的任意一者作为材料；而证据10没有公开压电膜以ZnO、A1N或PZT作为材料。（4）本专利高声速膜以如下任意一者作为材料：氮化铝、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、以这各个材料的任意一种为主成分的材料、 或者以这各个材料的混合物为主成分的材料；而证据10没有公开高声速膜以氮化铝、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜作为材料。 基于上述区别技术特征可以确定，本专利权利要求1实际解决的技术问题是如何设置支撑基板和高声速膜，如何选择低声速膜中体波声速的比较对象，以及如何选择压电膜、高声速膜的材料。 对于上述区别技术特征（1），在本领域，分别设置支撑基板和高声速膜，或将支撑基板和高声速膜整合成一个高声速支撑板，均是本领域公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，因此，上述区别技术特征（1）是本领域公知常识，对于本领域技术人员来说是显而易见的。 对于上述区别技术特征（2），虽然证据10的介质层261传播横波音速的比较对象是介质层209传播的横波速度，而不是压电体传播的体波声速，但证据10公开了介质层261传播横波音速低于比介质层209传播的横波速度，证据10明确给出了在介质层209和压电体206之间设置传播横波音速较低的介质层261的技术指引，并且证据10的介质层261的材质与本专利的低声速膜的材质相同，均是氧化硅，证据10的压电体的材质与本专利压电膜的材质也相同，均可以为LiTaO 、LiNbO ，因此，证据10的介质层261传播横波音速3 3实质上不仅低于介质层209传播的横波速度，同时也低于压电体传播的体波声速，本领域技术人员根据证据10公开的技术方案，能够得到在介质层209和压电体206之间设置传播横波音速低的介质层，并使该低声速介质层传播横波音速低于压电体传播的体波声速的技术启示，对于本领域技术人员来说，得到上述区别技术特征（2）是显而易见的。 对于上述区别技术特征（3），证据1公开了一种具有层状结构的声表面波器件（具体内容参见本决定4.1），证据 1 公开了压电膜的材料可以是 ZnO、A1N 或 PZT，因此，证据 1 公开了上述区别技术特征（2）。并且上述材料是本领域制作压电膜常用的材料，是本领域的公知常识。 对于上述区别技术特征（4），氮化铝、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜是本领域制作高声速常用的材料， 是本领域的公知常识。 综上所述，证据10、证据1均涉及弹性波器件，对于本领域技术人员来说能够得到技术启示，将证据10、证据1和本领域公知常识结合，得到权利要求14保护的技术方案是显而易见的，不需要花费创造性的劳动，因此权利要求14相对于证据10、证据1和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 4.4关于权利要求15-18权利要求15是权利要求14的从属权利要求，其对IDT电极的材料做了进一步限定，证据10公开了权利要求15的附加技术特征中部分IDT电极的材料（具体出处同上），并且权利要求15的附加技术特征中限定的IDT电极的材料是本领域制作IDT电极常用的材料，是本领域的公知常识。因此，在权利要求15引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求15也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求16是权利要求14的从属权利要求，其对低声速膜的膜厚做了进一步限定，证据10公开了权利要求16的附加技术特征（具体出处同上），因此，在权利要求16引用的权利要求不具备创造性的情况下， 权利要求16也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 权利要求17是权利要求14或15的从属权利要求，权利要求18是权利要求17的从属权利要求，其对利用粘合层、基底膜或媒质层对弹性波装置做了进一步限定，在本领域在各层之间设置粘合层、基底膜或媒质层，媒介层由金属制成均是本领域公知常识，因此，在权利要求17、18引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求17、18也不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。 综上所述，鉴于权利要求1-18不符合专利法第22条第3款的无效宣告请求理由成立，应予全部无效， 在此基础上，对请求人的其他的无效理由和证据，合议组不再进行评述。

宣告201610512603.9号发明专利权全部无效。 当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。 合议组组长：熊婷主审员：杜宇 专利局复审和无效审理部参审员：富瑶