多层基板金属线路制造方法及其结构

本专利授权公告的权利要求书如下： “1.一种多层基板金属线路制造方法，其特征在于：该制造方法包含下列步骤： 在一介电层表面涂布至少一光阻层； 对该光阻层进行曝光，以定义该金属线路的预定位置； 去除位于该预定位置的光阻层； 在该预定位置形成该金属线路； 在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层；以及去除该介电层表面上并位于该预定位置以外的光阻层。 2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面以及两侧表面。 3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在该预定位置形成该金属线路的步骤前，更包含在该预定位置形成一下包覆金属层的步骤。 4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：该下包覆金属层是包覆该金属线路的一底面。 5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：在该预定位置形成该下包覆金属层的步骤后，更包含在该下包覆金属层上形成一下包覆介电层的步骤。 6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：在该金属线路的表面形成该上包覆金属层的步骤前， 更包含在金属线路的表面形成一上包覆介电层，用以形成一同轴导线的步骤。 7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：该上包覆介电层与该下包覆介电层包覆该金属线路的一底面、一上表面以及两侧表面。 8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该介电层的材质为聚酰亚胺。 9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该金属线路的材质为铜。 10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该上包覆金属层的材质是选自铬、钛、铂、金以及镍。 11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成该金属线路的步骤前，更包含对该预定位置的该介电层的表面施以一接口附着强化处理，以增加该介电层与该金属线路间的附着强度的步骤。 12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于：该接口附着强化处理为一电浆制程处理。 13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在去除位于该预定位置的光阻层的步骤后，更包含去除位于该预定位置的该介电层的部份的步骤。 14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于：在形成该金属线路的步骤前，更包含对该预定位置的该介电层的表面施以一接口附着强化处理，以增加该介电层与该金属线路间的附着强度的步骤。 15.一种多层基板金属线路制造方法，其特征在于：该制造方法包含下列步骤： 在一介电层表面涂布至少一光阻层； 对该光阻层进行曝光，以定义该金属线路的一预定位置； 去除位于该预定位置的该光阻层； 在该预定位置形成该金属线路； 在该金属线路的表面形成至少一上包覆介电层；以及去除该介电层表面上并位于该预定位置以外的光阻层。 16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于：该上包覆介电层包覆该金属线路的一上表面以及两侧表面。 17.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于：在该预定位置形成该金属线路的步骤前，更包含在该预定位置形成一下包覆介电层的步骤。 18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于：该下包覆介电层包覆该金属线路的一底面。 19.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于：该上包覆介电层是以真空镀膜方式，形成于该金属线路的表面。 20.一种多层基板金属线路结构，该结构包含一金属线路；其特征在于：该金属线路位于一介电层上的一预定位置，该结构还包括一上包覆金属层，形成于该金属线路的一上表面以及两侧表面，与该预定位置以外的该介电层相比，该预定位置的该介电层为一下陷的构造，该多层基板金属线路结构更包含一下包覆金属层，形成于该金属线路的一底面。 21.如权利要求20所述的金属线路结构，其特征在于：其更包含一上包覆介电层以及一下包覆介电层，形成于该金属线路与该包覆金属层之间，用以形成一同轴导线。 22.如权利要求20所述的金属线路结构，其特征在于：对该预定位置的该介电层表面施以一接口附着强化处理，以增加该介电层与该金属线路间的附着强度。 23.如权利要求22所述的金属线路结构，其特征在于：该接口附着强化处理为一电浆制程处理。 24.如权利要求20所述的金属线路结构，其特征在于：该介电层的材质为聚酰亚胺。 25.如权利要求20所述的金属线路结构，其特征在于：该金属线路的材质为铜。 26.如权利要求20所述的金属线路结构，其特征在于：该上包覆金属层的材质是选自铬、钛、铂、 金以及镍。 27.一种多层基板金属线路结构，该结构包含一金属线路，其特征在于：所述金属线路位于一介电层上的一预定位置，该结构还包含一上包覆介电层，形成于该金属线路的一上表面以及两侧表面，该多层基板金属线路结构更包含一下包覆介电层，形成于该金属线路的一底面。 28.如权利要求27所述的金属线路结构，其特征在于：该上包覆介电层是以真空镀膜方式，形成于该金属线路的该上表面以及该两侧表面。”（第一请求）苹果电脑贸易（上海）有限公司（下称第一请求人）于2025年03月10日向国家知识产权局提出无效宣告请求，又于2025年04月09日提交意见陈述书，请求宣告本专利权利要求1-28全部无效。 无效理由为：说明书涉及权利要求1-19、21、27-28的内容公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-28保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；权利要求1-14、20-26得不到说明书支持，不符合专利法第26条第 4款的规定；权利要求1-4、9-11、13、 15-16、19-28不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定；权利要求1-28不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。第一请求人随上述请求书和意见陈述书共提交附件1-36，包括本专利授权公告文本、证据1-17、参考文件1-12以及证据14-16和参考文件2-12的文献复制证明，其中证据1-17如下： 证据1：CN1744799A，公开日为2006年03月08日； 证据2：US6943447B2及其中文译文，公开日为2005年09月13日； 证据3：EP0215557A2及其中文译文，公开日为1987年03月25日； 证据4：US5652557A及其中文译文，公开日为1997年07月29日； 证据5：US4717591A及其中文译文，公开日为1988年01月05日； 证据6：CN1343087A，公开日为2002年04月03日； 证据7：JP昭61-16415及其中文译文，公开日为1986年01月24日； 证据8：US5910684A及其中文译文，公开日为1999年06月08日； 证据9：JP2000188263A及其中文译文，公开日为2000年07月04日； 证据10：CN1255738A，公开日为2000年06月07日； 证据11：US4339305及其中文译文，公开日为1982年07月13日； 证据12：CN1392613A，公开日为2003年01月22日； 证据13：JP2003249731A，公开日为2003年09月05日； 证据 14：“通过 ECR 电浆对聚酰亚胺的表面改性（Surface modification of polyimide by ECRplasma）”、其中文译文以及盖有“国家图书馆科技查新中心”红章的文献复制证明，Jeong等人，物理研究中的核仪器和核方法B章，第59-60卷第2部分，第1285～1287页，公开日为1991年07月； 证据 15：“通过真空降解进行聚合物的薄膜沉积（Thin-Film Deposition of Polymers by VacuumDegradation）”、其部分中文译文以及盖有“上海图书馆（上海科学技术情报研究所）文献服务部”红章的文献复制证明，Gritsenko等人，化学综述（Chemical Reviews），第103卷第9期，第3607～3649页，公开日为2003年09月； 证据16：“化学气相沉积法制造的含有非线性光学分子的环氧胺聚合物波导（Epoxy-amine polymerwaveguide containing nonlinear optical molecules fabricated by chemical vapor deposition）”、其部分中文译文以及盖有“上海图书馆（上海科学技术情报研究所）文献服务部”红章的文献复制证明，Tatsuura等人，应用物理通信（Appl. Phys. Lett.），第60卷第10期，第1158～1160页，公开日为1992年03月09日； 证据17：CN1176504A，公开日为1998年03月18日。 经形式审查合格，国家知识产权局于2025年03月27日受理了上述无效宣告请求。国家知识产权局于2025年03月31日将无效宣告请求书及所附附件副本转给专利权人，同时成立合议组对本案进行审查。合议组于2025年05月09日将第一请求人于2025年04月09日提交的意见陈述书及所附附件副本转给专利权人。 专利权人于2025年05月14日提交意见陈述书，同时提交了权利要求书修改标记页和修改替换页， 并认为针对修改后的权利要求书，请求人的无效理由均不成立。专利权人对授权公告的权利要求书进行如下修改：将权利要求1中的技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”和权利要求2中技术特征“该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面以及两侧表面”补入原独立权利要求27（修改后的权利要求13），删除原权利要求5-7、11-12、14-19、21-23、28，并适应性调整权利要求的序号和引用关系。修改后的权利要求书为： “1.一种多层基板金属线路制造方法，其特征在于：该制造方法包含下列步骤： 在一介电层表面涂布至少一光阻层； 对该光阻层进行曝光，以定义该金属线路的预定位置； 去除位于该预定位置的光阻层； 在该预定位置形成该金属线路； 在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层；以及去除该介电层表面上并位于该预定位置以外的光阻层。 2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面以及两侧表面。 3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在该预定位置形成该金属线路的步骤前，更包含在该预定位置形成一下包覆金属层的步骤。 4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：该下包覆金属层是包覆该金属线路的一底面。 5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该介电层的材质为聚酰亚胺。 6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该金属线路的材质为铜。 7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该上包覆金属层的材质是选自铬、钛、铂、金以及镍。 8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在去除位于该预定位置的光阻层的步骤后，更包含去除位于该预定位置的该介电层的部份的步骤。 9.一种多层基板金属线路结构，该结构包含一金属线路；其特征在于：该金属线路位于一介电层上的一预定位置，该结构还包括一上包覆金属层，形成于该金属线路的一上表面以及两侧表面，与该预定位置以外的该介电层相比，该预定位置的该介电层为一下陷的构造，该多层基板金属线路结构更包含一下包覆金属层，形成于该金属线路的一底面。 10.如权利要求9所述的金属线路结构，其特征在于：该介电层的材质为聚酰亚胺。 11.如权利要求9所述的金属线路结构，其特征在于：该金属线路的材质为铜。 12.如权利要求9所述的金属线路结构，其特征在于：该上包覆金属层的材质是选自铬、钛、铂、 金以及镍。 13.一种多层基板金属线路结构，该结构包含一金属线路，其特征在于：所述金属线路位于一介电层上的一预定位置，在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面；该结构还包含一上包覆介电层，形成于该金属线路的一上表面以及两侧表面，该多层基板金属线路结构更包含一下包覆介电层，形成于该金属线路的一底面。”合议组于2025年05月16日将上述意见陈述书及所附附件转给第一请求人。 合议组于2025年05月29日向双方当事人发出口头审理通知书，定于2025年06月25日举行口头审理。 第一请求人于2025年06月16日提交意见陈述书，主张修改后的权利要求13不应被接受。同时针对修改后的权利要求1-13主张如下无效理由：说明书涉及权利要求1-8、13的内容公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-13保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；权利要求1-13得不到说明书支持，不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1-4、 6-13不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定；权利要求1-13不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。 合议组于2025年06月19日将第一请求人提交的上述意见陈述书转给专利权人。 专利权人于2025年06月19日提交如下证据作为公知常识证据： 反证1：《SMT组装系统》，周德俭等编著，国防工业出版社，2004年07月第1次印刷； 反证2：《印制电路指南》，胡顺堂等译，陕西科学技术出版社，1987年05月第1次印刷。 第一请求人于2025年06月20日提交意见陈述书，针对权利要求1-12陈述无效理由。 口头审理如期举行，双方当事人均出席了本次口头审理。在口头审理过程中： （1）双方当事人对对方出席人员的身份和资格无异议，对合议组成员变更无异议，对合议组成员和书记员没有回避请求。 （2）第一请求人对专利权人提交的权利要求书修改有异议，具体对权利要求13的修改有异议， 认为其不能被接受。合议组当庭明确本次口头审理的基础为专利权人于2025年05月14日提交的权利要求书以及授权公告文本的其他部分。 （3）第一请求人当庭提交如下证据作为公知常识证据： 公知常识证据1：《多芯片组件技术手册》，Philip E.Garrou等著，王传声等译，电子工业出版社， 2006年02月第1次印刷。 第一请求人当庭明确其于请求日提交的参考文件2-5作为公知常识证据2-5使用，包括： 公知常识证据2：《现代高分子材料生产及应用手册》，汪多仁编著，中国石化出版社，2002年05月第1次印刷； 公知常识证据3：《超大规模集成电路衬底材料性能及加工测试技术工程》，刘玉玲等编著，冶金工业出版社，2002年08月第1次印刷； 公知常识证据4：《半导体器件工艺原理》，厦门大学物理系半导体物理教研室编，人民教育出版社，1977年12月第1次印刷； 公知常识证据5：《微机电系统技术基础》，石庚辰等编，中国电力出版社，2006年08月第1次印刷。 合议组当庭将公知常识证据1转给专利权人签收。 第一请求人当庭出示证据14-16和公知常识证据1-5文献复制证明原件。 （4）合议组当庭将专利权人于2025年06月19日提交的反证1-2转给第一请求人签收。 专利权人当庭出示上述反证1-2的原件。 （5）专利权人对第一请求人提交的证据1-17、公知常识证据1-5的真实性和公开日期无异议，对所有外文证据中文译文的准确性无异议，对公知常识证据1-5作为公知常识性证据使用无异议。 （6）第一请求人对专利权人提交的反证1-2的真实性和公开日期无异议，认可反证1可以作为公知常识性证据，不认可反证2可以作为公知常识性证据，并据此认为专利权人提交反证2超出举证期限。 （7）第一请求人明确其于2025年06月20日提交的意见陈述书供合议组参考。 第一请求人明确其无效理由包括： （7.1）说明书涉及权利要求1-8、13的内容公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定； （7.2）权利要求1-13保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定； （7.3）权利要求1-13得不到说明书支持，不符合专利法第26条第4款的规定； （7.4）权利要求1-4、6-13不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定； （7.5）权利要求1-13不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定； 其中，关于新颖性和创造性的证据使用方式为（其中“+”表示“结合”，“/”表示“或”）： 权利要求 新颖性 创造性权利要求1 证据9/证据10/证据11； 证据9； 证据9+公知常识； 证据9+证据11/公知常识； 证据10； 证据10+公知常识； 证据10+证据11/公知常识； 证据11； 证据11+公知常识； 权利要求2 证据9/证据11； 证据1/证据3/证据5/证据6/证据9/证的附加特征 据11/证据17/公知常识； 权利要求3 证据9/证据10； 证据1/证据2/证据3/证据4/证据5/证的附加特征 据6/证据9/证据10/证据17/公知常识； 权利要求4 证据9/证据10； 证据1/证据2/证据3/证据4/证据5/证的附加特征 据6/证据9/证据10/证据17/公知常识； 权利要求5 证据1/证据3/证据5/证据6/公知常识； 的附加特征权利要求6 证据9/证据10/证据11； 证据1/证据3/证据5/证据6/证据9/证的附加特征 据10/证据11/公知常识； 权利要求7 证据9/证据10/证据11； 证据1/证据2/证据3/证据5/证据6/证的附加特征 据9/证据10/证据11/公知常识； 权利要求8 证据11； 证据1/证据4/证据11/公知常识； 的附加特征权利要求9 证据1/证据2； 证据1； 证据1+公知常识证据1+证据2/证据5/公知常识+证据3/ 证据5/证据6/证据9/公知常识； 证据2； 证据2+公知常识； 证据3+公知常识； 证据3+证据1/证据2/证据4+证据2/证据5/公知常识； 证据4+证据2/证据5/公知+证据8/公知常识； 证据5+证据1/证据2/证据4； 证据6+证据1/证据2/证据4+证据2/证据5/公知常识； 权利要求10 证据1； 证据1/证据3/证据5/证据6/公知常识； 的附加特征权利要求11 证据1； 证据1/证据3/证据5/证据6/证据9/证的附加特征 据10/证据11/公知常识； 权利要求12 证据1/证据2； 证据1/证据2/证据3/证据5/证据6/证的附加特征 据9/证据10/证据11/公知常识； 权利要求13 证据2/证据5/证据11； 证据2； 证据2+公知常识； 证据4+证据2/证据7/公知常识+证据8/ 证据12/证据13/公知常识； 证据5； 证据5+公知常识； 证据7+证据1/证据3/证据5/证据6/证据9/证据11/证据17/公知常识； 证据8+证据1/证据3/证据5/证据6/证据9/证据11/证据17/公知常识； 证据11； 证据11+公知常识； 专利权人认为第一请求人使用证据5和证据11评价权利要求13的新颖性和创造性的无效理由属于新增理由，超出可以增加无效理由的期限，不应被接受。 （8）合议组对所有无效宣告请求理由进行了调查，双方当事人均充分发表了意见。 （第二请求）台湾积体电路制造股份有限公司（下称第二请求人）于2025年03月10日向国家知识产权局提出无效宣告请求，其所提交的所有意见陈述书、证据以及主张的无效理由与第一请求均相同。专利权人针对第二请求提交的所有意见陈述书和证据以及对权利要求书修改与第一请求亦相同。口头审理过程中， 合议组明确将第一请求和第二请求合并进行审理，第二请求人与专利权人均明确表示坚持与第一请求相同的主张和意见陈述。 至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。 鉴于第一请求人和第二请求人提出的无效理由和证据均相同，下文具体评述中统一称之为“请求人”。

1. 审查基础专利权人于2025年05月14日提交了权利要求书修改替换页，其修改方式包括两种形式，一是删除部分权利要求，二是将权利要求1中的技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”和权利要求2中技术特征“该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面以及两侧表面”补入原独立权利要求27即修改后的权利要求13。 针对专利权人的修改文本，请求人主张：首先，专利权人在意见陈述中解释“包覆”的文义为紧密贴合且无间隙，基于该解释，修改后的权利要求13限定上包覆金属层必须紧密贴合金属线路的上表面及侧表面且无间隙，同时又要求上包覆介电层紧密贴合金属线路的上表面及侧表面且无间隙，金属线路上表面及侧表面无法同时被上包覆金属层及上包覆介电层紧密贴合且无间隙，因此权利要求13所限定的技术特征之间相互矛盾，无法实施；其次，本专利原说明书和权利要求书中仅记载了四种实施例结构， 一是上包覆金属层包覆金属线路，二是上、下包覆金属层包覆金属线路，三是上、下包覆介电层包覆金属线路，四是上、下包覆金属层包覆金属线路，且在上、下包覆金属层和金属线路之间上、下包覆介电层包覆金属线路，修改后的权利要求13的技术方案仅为上包覆金属层包覆金属线路，且上、下包覆介电层包覆金属线路，因此修改后的权利要求13超出了原说明书和权利要求书记载的范围。因此专利权人针对权利要求13的其修改不应被接受。 对此，合议组认为： 对于《专利审查指南》规定的“权利要求的进一步限定”修改，需要从修改的形式和实体两个方面考虑，从而判断涉及修改的权利要求是否符合无效宣告程序中的相关规定。 对于修改形式，需要判断其在该项权利要求中是否补入了其他权利要求中记载的一个或多个技术特征。对于修改实体，则需要判断相对于修改前的该项权利要求，修改后的保护范围是否缩小，而且，应判断修改后的权利要求是否超出原说明书和权利要求书记载的范围。 在实体内容判断时，基于不同的判断内容，进行比较的对象也不相同。在判断修改后权利要求保护范围是否缩小时，比较的对象是修改后的权利要求与修改前的权利要求，即判断修改后的权利要求的保护范围是否小于修改前的权利要求的保护范围。在判断修改后的权利要求是否超出原说明书和权利要求书记载的范围时，比较的对象为修改后的权利要求与原说明书和权利要求书记载的范围。一般而言，权利要求保护的技术方案可以是与说明书具体实施例大致相同的技术方案，也可以是本领域技术人员在说明书具体实施例的基础上合理概括得出的保护范围。对于“权利要求的进一步限定”修改得到的权利要求的技术方案，若其与说明书具体实施例记载的方案不完全相同，并不必然超出原始申请文件记载的范围， 此时需要站位本领域技术人员，综合分析判断是否可以从原说明书和权利要求书记载的内容得到。 具体到本案： 从修改形式上看，专利权人在权利要求13中补入权利要求1和2分别记载的多个技术特征；从修改实体看，权利要求13经过上述技术特征的补入，缩小了其保护范围。因此，该修改方式属于对权利要求的进一步限定。 同时，还应判断修改后的权利要求13是否超出原说明书和权利要求记载的范围时。 针对“包覆”这一技术术语，应理解为限定了包覆层“包裹覆盖”被包覆部件，而不应理解为限定了该包覆层和被包覆部件之间不存在其他包覆层。本领域技术人员结合上述技术术语的含义和本专利说明书的记载可以理解，权利要求13所限定的结构包括，上包覆金属层“包覆”上包覆介电层的上表面及两侧表面，上包覆介电层“包覆”金属线路的上表面及两侧表面，从而上包覆金属层“包覆”金属线路的上表面及两侧表面，以及下包覆介电层形成于金属线路底面。 本专利说明书第0009段记载了“本发明的另一目的在于提供一种多层基板金属线路制造方法及其结构，能避免多层基板其它材质的侵蚀或污染，制作精细、可靠度高的金属线路”，并在第0010-0015段记载了主要制造步骤，包括“在金属线路的表面形成上包覆金属层”。本专利说明书“具体实施部分”记载了若干实施例，第0025-0026段的第一实施例中仅形成上包覆金属层306，第0027-0029段的第二实施例中形成上包覆金属层306且预定位置的介电层为下陷构造，第0030-0034段的第三和第四实施例中例举了形成上、下包覆金属层和上、下包覆介电层。本领域技术人员根据说明书上述记载可以理解， 本专利的核心技术手段在于形成包覆金属线路的上包覆金属层，至于下包覆金属层、预定位置下陷构造以及上、下包覆介电层均是在此基础上进一步改进，并不属于解决其技术问题的核心技术手段，本领域技术人员可以从上述记载直接地、毫无疑义地确定本专利包括形成上包覆金属层和上、下包覆介电层的技术方案，即权利要求13所限定的技术方案是本领域技术人员从本专利原说明书记载的内容可以直接地、毫无疑义地确定的。 尽管本专利原说明书的具体实施例和原权利要求书未记载权利要求13所限定的结构，但是请求人所主张的要求专利保护的技术方案与专利原说明书中记载的具体实施方式一一对应，超出了对撰写权利要求和说明书具体实施例记载内容的要求，合议组对此主张不予支持。 因此，修改后的权利要求13所要求保护的上述技术方案是本领域技术人员可以从原说明书和权利要求书中直接地、毫无疑义地确定的，未超出原说明书和权利要求书记载的范围。 综上，专利权人对权利要求13所作修改属于权利要求进一步限定，且未超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合无效程序针对权利要求修改的相关规定。同时，前述删除式修改也符合无效宣告程序的相关规定。因此，合议组对该修改文本予以接受。 因此，本决定的审查基础为专利权人于2025年05月14日提交的权利要求书以及授权公告文本的说明书和说明书附图。 2. 证据请求人提交的证据 1-17 为专利文献或期刊文献，公知常识证据 1-5 为书籍，专利权人对证据1-17、公知常识证据1-5的真实性和公开日期无异议，对公知常识证据1-5可以作为公知常识性证据使用无异议。合议组未发现影响该些证据真实性的明显瑕疵，对其真实性予以认可。证据1-17的公开日期在本专利的申请日之前，可以作为评价本专利新颖性或创造性的现有技术。公知常识证据1-5的公开日期在本专利的申请日之前，且为教科书，合议组认可其可作为评价本专利创造性的公知常识性证据。 专利权人提交的反证1-2为书籍，请求人对反证1-2真实性和公开日期无异议，认可反证1可以作为公知常识性证据，不认可反证2可以作为公知常识性证据。合议组未发现影响该些证据真实性的明显瑕疵，对其真实性予以认可。反证1的公开日期在本专利的申请日之前，且为教科书，合议组认可其可以作为评价本专利创造性的公知常识性证据。反证2名称为《印制电路指南》，其于1987年出版， 根据其“译者的话”、目录页和正文显示的内容看，其实质上属于印制电路领域的技术手册类书籍，因此亦可作为公知常识性证据。 3. 关于专利法第26条第3款专利法第26条第3款规定，说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准。 判断说明书是否充分公开了某个技术方案，应以本领域技术人员能否实现作为判断标准；如果说明书中对于该技术方案作出了清楚、完整的说明，使本领域技术人员根据说明书中记载的内容能够实现发明，则该说明书充分公开了其技术方案。 请求人主张：（1）本专利说明书未对在金属线路的上表面、侧表面，甚至底面形成包覆金属层作出清楚完整的说明，专利权人声称的以蒸镀法形成在说明书中没有记载，因此权利要求1-8涉及的说明书公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定。（2）本专利说明书未公开包覆介电层的材料， 若该材料为聚酰亚胺，则会污染金属线路，导致本专利不能解决其技术问题，因此权利要求13涉及的说明书公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定。 对此，合议组认为： 本专利说明书第0025段结合图3C、4C、5C、6C记载了通过负型光阻或双层光阻形成光阻层边缘“上侧较下侧突出”的光阻结构，随后第0026-0034段并结合附图3D、4D、5D、6D记载了在金属线路的上表面、侧表面以及底面形成包覆金属层的步骤，本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识，采用本领域的常规工艺，可以实现形成上述包覆金属层的步骤。 本专利说明书的核心技术构思在于，在多层基板中，在金属线路上表面及两侧表面形成例如铬、钛、 铂、金或镍等包覆金属层的结构及其方法，至于包覆介电层的材料，不属于本专利的改进之处，本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识可以选择适合该包覆介电层的常规材料。 因此，请求人关于权利要求1-8和权利要求13涉及的说明书不符合专利法第26条第3款的无效理由不成立。 4. 关于专利法实施细则第20条第1款专利法实施细则第20条第1款规定：权利要求书应当说明发明或者实用新型的技术特征，清楚、 简要地表述请求保护的范围。 如果本领域技术人员根据说明书记载的内容可以清楚理解相关技术特征的含义，进而准确界定包含该技术特征的权利要求的保护范围，则该权利要求的保护范围清楚。 请求人主张：权利要求13的“包覆介电层”不清楚，如何形成“包覆金属层”和“包覆介电层”不清楚； 权利要求1-13“包覆金属层”不清楚；因此权利要求1-13的保护范围不清楚。 对此，合议组认为： 本领域技术人员根据本领域中技术术语的通常理解可知，“包覆”一词的含义为包覆层“包裹覆盖”被包覆部件，而“介电层”在本领域中具有通常含义，因此“包覆介电层”的含义清楚。 本专利说明书第0035段记载“金属线路302的材质可为铜”、“上包覆金属层306、下包覆金属层306-1的材质可为铬、钛、铂、金或镍等”，本领域技术人员根据说明书记载的本专利的技术构思，可以理解“包覆金属层”为形成在铜等金属线路表面的、化学性质相比铜不活泼的铬、钛、铂、金或镍等对金属线路起保护作用的金属层，因此该技术特征的含义清楚。 至于如何形成“包覆金属层”和“包覆介电层”，本专利说明书第0025段结合图3C、4C、5C、6C记载了通过负型光阻或双层光阻形成光阻层边缘“上侧较下侧突出”的光阻结构，随后第0026-0034段并结合附图3D、4D、5D、6D记载了在金属线路的表面形成包覆金属层和包覆介电层的步骤，本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识可以理解如何形成该些层，因此其含义清楚。 因此，请求人所主张的上述关于权利要求1-13保护范围不清楚的无效理由不成立。 5. 关于专利法第26条第4款专利法第26条第4款规定：权利要求应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。 如果本领域技术人员根据说明书记载的内容可以概括得出权利要求保护的技术方案，则该权利要求可以得到说明书的支持。 请求人主张：权利要求1-13的“包覆金属层”得不到说明书支持。 对此，合议组认为： 本专利说明书第0035段记载“金属线路302的材质可为铜”、“上包覆金属层306、下包覆金属层306-1的材质可为铬、钛、铂、金或镍等”。本领域技术人员根据本专利说明书记载的技术构思，可以理解“包覆金属层”为形成在铜等金属线路表面的、化学性质相比铜不活泼的铬、钛、铂、金或镍等对金属线路起保护作用的金属层，进而得到适合包覆金属层的材质，因此权利要求1-13中“包覆金属层”可以得到说明书的支持。 因此，请求人所主张的上述关于权利要求1-13得不到说明书支持的无效理由不成立。 6. 关于专利法第22条第2款专利法第22条第2款规定：新颖性，是指在申请日以前没有同样的发明或者实用新型在国内外出版物上公开发表过、在国内公开使用过或者以其他方式为公众所知，也没有同样的发明或者实用新型由他人向国务院专利行政部门提出过申请并且记载在申请日以后公布的专利申请文件中。 新颖性判断中，在将权利要求与现有技术进行特征对比时，首先要根据说明书记载的结构、材料、 作用等方面入手确定权利要求中技术特征的含义，其次再将其与现有技术所记载的技术手段综合以上方面进行客观对比，避免二者在某一方面相仿时即机械断定二者等同，在上述对比的基础上，确定权利要求与现有技术之间是否存在实质区别；如果二者相比存在实质区别，则该权利要求具备新颖性。 6.1 关于独立权利要求1请求人主张：权利要求1相对于证据9、10、11不具备新颖性。 经查，权利要求1保护一种多层基板金属线路制造方法。 6.1.1 证据9证据9公开了一种层叠图案的形成方法，并具体公开了以下技术特征（参见中文译文说明书第0001、 0024-0030段，图1-3）：图2（a）～（e）所示为采用了常温蒸镀和剥离法的上述低损耗介电质滤波器1的制造方法概略截面图；首先，在由陶瓷等构成的基板2上以规定厚度涂敷抗蚀剂膜，如图2（a）所示，利用光刻法进行图案化，在将要形成层叠图案3的区域形成开口部；为了使图案化后的抗蚀剂膜7具有良好的剥离性，使其形成为倒锥形横截面；如图2（b）所示，以比抗蚀剂膜7的耐热温度低的温度，从抗蚀剂膜7的上方在基板2上蒸镀Cu，形成下层导电薄膜4；如图2（c）所示，利过常温蒸镀在导电薄膜4上蒸镀上述介电质薄膜材料，如Sm O ，获得下层的导电薄膜4和介电质薄膜5的2 3双层层叠体；如图3所示，下层的导电薄膜4的侧面被介电质薄膜5所覆盖；如图2（d）所示，在介电质薄膜5上真空蒸镀Cu形成上层的导电薄膜6；接下来，将从真空蒸镀装置中取出的基板2浸渍在丙酮等剥离液中，剥离抗蚀剂膜7，同时去除抗蚀剂膜7上的层叠膜，由此通过剥离法在基板2上获得所期望图案的层叠图案3；由此，通次1次抗蚀剂图案化的简易方法，能够以较低的成本获得由导电薄膜4、6和介电质薄膜5构成的层叠图案3。 如上文第4点所述，本领域技术人员可以理解，权利要求1中所限定的“上包覆金属层”为包裹覆盖金属线路、可以对金属线路起到保护作用的金属层。 本领域技术人员根据证据9公开的内容可以理解，证据9是一种形成高频电容元件等层叠图案的方法，其中导电薄膜6是和导电薄膜4、介电质薄膜5共同构成电容元件层叠图案3的导电层，二者作用明显不同，虽然二者材料均为金属，但综合结构和作用可知证据9中导电薄膜6不同于本专利的上包覆金属层。另外，证据9中基板2也不同于本专利的介电层。因此，权利要求1与证据9相比至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”，权利要求1与证据9相比存在实质区别。因此，权利要求1相对于证据9具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.1.2 证据10证据10公开了一种形成介质薄膜图案和分层图案的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第1页第1段、第4页第5段至第5页第5段、第6页倒数第2段至第7页第6段，图1A-1F）： 参照图1A到1F，最好将负性光致抗蚀剂2a旋转涂敷在诸如陶瓷基片、半导体基片上，如图lA所示； 使用光刻处理，在光致抗蚀剂2a中形成图案；在要形成布线图案的区域中打开窗口3，如图1B；在形成图案后，抗蚀图案2具有倒锥形形状以改进提起性能；如图l C所示， 将基片1放置在汽相沉淀室中，并设置在基片支持件上；使导体金属汽相淀积在基片1上，如图l C；形成在基片1上的导电薄膜4可以由一层或多层构成；将介质薄膜5汽相淀积在基片1上，如图1D；还可以使用其混合的成份或层叠的结构；将导电金属淀积在基片1上， 由此在介质薄膜5上形成导电薄膜6；导电薄膜6形成上层，并且可以由和形成为下层的导电薄膜4相同或不同的材料制成；如上所述，包含下层导电薄膜4、 介质薄膜5和上层导电薄膜6的分层结构形成在抗蚀图案2上和抗蚀图案2的窗口3中的基片1上； 将基片1浸入分离液中，这使位于抗蚀图案2上的分层4、5、 6与它的抗蚀图案一起从基片1上分离， 由此在基片1上形成包含导电薄膜4、介质薄膜5和导电薄膜6的分层图案7，它具有所要的图案，用作诸如高频传输线、高频谐振器、高频电容元件等高频器件中的布线图案。 本领域技术人员根据证据10公开的内容可以理解，证据10公开了一种形成高频传输线、高频谐振器、高频电容元件等分层图案的方法，其中上层导电薄膜6是和下层导电薄膜4、介电薄膜5共同构成电容元件分层布线图案的导电层，其与本专利的上包覆金属层的作用明显不同，虽然二者材料均为金属，但综合结构和作用可知证据10的上层导电薄膜6不同于本专利的上包覆金属层。另外，证据10中的基片1也不同于本专利的介电层。因此，权利要求1与证据10相比至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”，权利要求1与证据10相比存在实质区别。因此，权利要求1相对于证据10具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.1.3 证据11证据11公开了一种制造微电路导体图案的方法，并具体公开了以下技术特征（参见中文译文说明书第1栏第1段、第4栏第6段至第7栏第4段，图1-6）：参考图1至图5，示出并描述了一种制造微电路导体图案的方法；图1示出了在基板10上沉积了一层绝缘材料12；其示出了在第一绝缘材料层12上沉积的光致抗蚀剂层14；对光致抗蚀剂材料14进行构图以形成第一沟道限定图案16；图2示出了在绝缘材料12中蚀刻第一沟道限定图案形成沟道18的结果，以该方式形成了过蚀刻区域20；图3示出了施加到沟道18的底部或基底23的调节材料薄层22，例如铜、镍、铂或其它适于无电镀的材料；由此选择的沉积方法涂覆整个抗蚀剂层14、覆盖的基板10表面和相对过宽的沟道18的图案的基底23；通过将导体电镀到相对过宽的沟道18中来限定导体图案；图4示出了在调节材料22之上，镀覆无电镀金属24，例如金，使导电镀覆材料填充过宽沟道18到至少基本上与第一绝缘材料层12共面的高度，最终形成镀覆晶片9；将光致抗蚀剂14提起剥离；图5示出了图4的器件经过剥离工艺之后的情况；图6示出了重复前述步骤的结果，例如通过在第一绝缘材料层12上沉积附加的绝缘材料层112，其中相对过宽的沟道18的图案已经具有无电镀层24；附加绝缘材料112限定了在基板10上方均匀间距的平坦表面126；因此，提供了一种制造多层导体材料图案的方法，该图案具有嵌入绝缘材料中的共平行或堆叠平行导体平面的优点，并且在图案层之间具有恒定且均匀的间距。 本领域技术人员根据证据11公开的内容可以理解，证据11是一种形成存储器件等集成电路的导体图案方法，其中的调节材料薄层22是由于沟道过宽而用于在后续形成无电镀金属24时起到调节作用的金属层，明显不同于本专利的金属线路。同时，无电镀金属24为导体线路层，明显不同于本专利的上包覆金属层。因此，权利要求1与证据11相比至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”，权利要求1与证据11相比存在实质区别。因此，权利要求1相对于证据11具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.2 关于从属权利要求2-8权利要求2-8引用权利要求1，如上文6.1所述，请求人关于权利要求1相对于证据9、10、11不具备新颖性的理由不成立，因此请求人关于权利要求2-8不具备新颖性的理由也不成立。 6.3 关于独立权利要求9请求人主张：权利要求9相对于证据1、2不具备新颖性。 经查，权利要求9保护一种多层基板金属线路结构。 6.3.1 证据1证据1公开了一种布线电路基板，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第3页第11行至第6页第10行，图1-2）： 如图1(b)所示，该挠性布线电路基板l，形成为沿长度方向延伸的带板状，具备作为绝缘层的基础绝缘层2，在该基础绝缘层2上形成的导体图形3，为覆盖该导体图形3而在基础绝缘层2上所形成的覆盖绝缘层4；如图1(a)所示，基础绝缘层2，其长度方向上一端部形成为俯视大致为矩形形状，导体图形3以多条布线图形3a、3b、3c和3d的形式形成在该基础绝缘层2上；各布线3a、3b、3c及3d的露出部分形成俯视大致为矩形形状的端子部5；并且，各端子部5的表面，也就是露出的上表面、宽度方向两侧面和长度方向一侧面上都形成金属镀层6；如图1(b)和图1(c)所示，该挠性布线电路基板l中，在各端子部5的下端部及覆盖各端子部5的金属钱层6的侧面的下端部被埋设在基础绝缘层2中； 如图2 (a)所示，准备基础绝缘层2；如图2(b)所示，在基础绝缘层2上形成导体图形3；对导体图形3的形成可以使用加层法、减层法等；加层法是，首先在基础绝缘层2的整个表面上形成成为种膜的金属薄膜，金属薄膜能够使用铬、镍、铜及其合金等，通过溅射法等薄膜形成法形成；如图2(c)所示，形成覆盖绝缘层4；如图2 (d)所示，在各端子部5的表面，也就是露出的上表面，宽度方向两侧面和长度方向一侧面形成金属镀层6，金属镀层6例如用金、镁等构成，利用电镀或化学镀等形成；如图2(e) 所示，通过将各端子部5的下端部和覆盖各端子部5的金属镀层6各侧面的下端部都一起被埋设在基础绝缘层2的厚度方向内侧， 就得到挠性布线电路基板l；在这样得到的挠性布线电路基板l中，各端子部5的下端部埋设在基础绝缘层2的厚度方向内侧，因此，即使以微小线矩形成导体图形3，也能够提高导体图形3与基础绝缘层2的粘附性；该挠性布线电路基板l中，覆盖各端子部5的金属镀层6的各侧面的下端部，也与各端子部5的下端部一起埋设在基础绝缘层2厚度方向内侧，从而，能够有效防止镀液中离子性杂质作为残渣残存在金属镀层6与基础绝缘层2之间； 前述说明，是以单面挠性布线电路基板的形式说明本发明的布线电路基板的，而本发明的布线电路基板能够适用于两面挠性布线电路基板，而且也能够适用于刚性－挠性布线电路基板、刚性布线电路基板。 本领域技术人员根据证据1公开的内容可以理解，证据1未公开该布线电路基板为多层基板，且其中端子部5不同于本专利的金属线路，在此基础上，金属镀层6不同于本专利形成在“金属线路”上表面及两侧表面的上包覆金属层，铬薄膜等“种膜”也不同于本专利对金属线路起保护作用的下包覆金属层。 权利要求9与证据1相比至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层，形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”，因此权利要求9与证据1相比存在实质区别。因此，权利要求9相对于证据1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.3.2 证据2证据2公开了一种薄膜多层布线基板，并具体公开了以下技术特征（参见中文译文说明书第8栏第6段，图5）：在本发明的薄膜多层布线基板中，不仅可以使用上述矩形截面的外部导体层，还可以使用具备其他截面形状的外部导体层的同轴布线；图5中示出了一个这样的实施例；在该实施例中， 导体层的下部62被定位为覆盖形成梯形截面凹槽的下部绝缘层61，并且该导体层的侧壁下部64形成在其上方的绝缘层63中；另一绝缘层65位于绝缘层63上，该导体层的侧壁上部66形成在该绝缘层65中，内部布线部件67设置在两个侧壁上部66之间的梯形截面凹槽中；该内侧布线部件67与侧壁上部66同时形成；这样，在本实施例的情况下，可以省略上述具有矩形截面的外部导体层的实施方式的薄膜多层布线基板的同轴布线中的侧壁中央部的形成；绝缘层65的上表面可以是平坦的表面，侧壁上部66的上表面暴露，该导体层的上部68和上绝缘层69依次形成在其上；另外，下绝缘层的槽的截面形状也可以不是梯形，也可以是矩形。 本领域技术人员根据证据2公开的内容可以理解，证据2公开了在多层布线基板中形成同轴导线以避免信号串扰的结构，其中内部布线部件67相当于本专利的金属线路，侧壁下部64、侧壁上部66、 导体层上部68、导体层下部62共同构成包围内部布线部件67的外围线路，虽然从证据2的图5等截面图看，侧壁下部64、侧壁上部66以及导体层上部68所组成的组合结构及其位置与本专利的上包覆金属层相仿，但是站位本领域技术人员可知，证据2中侧壁下部64、侧壁上部66以及导体层上部68所组成的组合结构与本专利的上包覆金属层的结构和作用均明显不同，因此证据2中由侧壁下部64、 侧壁上部66以及导体层上部68所组成的组合结构不同于本专利对金属线路起保护作用的上包覆金属层。因此权利要求9与证据2相比至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层，形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”，权利要求9与证据2相比存在实质区别。因此，权利要求9相对于证据2具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.4 关于从属权利要求10-12权利要求10-12引用权利要求9，如上文6.3所述，请求人关于权利要求9相对于证据1、2不具备新颖性的理由不成立，因此请求人关于权利要求10-12不具备新颖性的理由也不成立。 6.5 关于独立权利要求13请求人主张：权利要求13相对于证据2、5、11不具备新颖性。 专利权人认为：请求人在请求书中未主张原权利要求27相对于证据5和11不具备新颖性，权利要求13是由原权利要求27修改而来，因此请求人主张权利要求13相对于证据5、11不具备新颖性的理由超出了其主张无效理由的期限。 6.5.1 关于审查范围无效宣告程序中，请求人在提出无效宣告请求时会主张无效理由，且在请求日起一个月内可以补充无效理由，以上理由均应纳入审查范围。请求人在请求日起一个月后增加无效理由的，合议组一般不予考虑。但是，针对专利权人以删除以外的方式修改权利要求，请求人可以在指定答复期限内增加合理的无效理由。 本案中，专利权人以进一步限定方式修改权利要求13（原权利要求27），此时允许请求人在合理范围内增加无效理由。专利权人在权利要求13中补入的技术特征来自权利要求1和2，请求人在请求书中主张了权利要求1相对于证据11不具备新颖性，也主张了权利要求2的附加技术特征被证据5公开，即请求人在规定期限内主张的无效理由中包括了使用证据5和11评述上述补入权利要求13的技术特征的方式，在此情形下，应当允许请求人使用证据5和11继续评述包括上述技术特征的权利要求13。 因此，合议组认为，对于请求人增加以证据5和11评价权利要求13新颖性的无效理由，符合无效宣告程序中增加无效理由的规定，应将上述无效理由纳入审查范围，因此对专利权人的主张不予支持。 6.5.2 关于权利要求13新颖性的具体判断经查，权利要求13保护一种多层基板金属线路结构。 6.5.2.1 证据2证据2公开了一种薄膜多层布线基板。 如上文6.3.2所述证据2所公开内容，本领域技术人员可以理解，证据2中由侧壁下部64、侧壁上部66以及导体层上部68多个部件构成的结构不同于本专利对金属线路起保护作用的上包覆金属层。 权利要求13与证据2相比至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”，因此权利要求13与证据2相比存在实质区别。因此， 权利要求13相对于证据2具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.5.2.2 证据5证据5公开了一种电子封装，并具体公开了以下技术特征（参见中文译文说明书第4栏第2段至第6栏3段，图1）：在本发明的另一方面，提供了一种电子封装，其具有基板、至少一层由铜或另一种易受腐蚀材料组成的载流线路、至少一层通常为有机介电质的绝缘层、以及沉积在载流线路上并与载流线路接触的磷化钴层；这种结构可以经受热处理，例如用于固化、软焊、硬焊等的热处理，而不会对铜或其他易受腐蚀性材料产生化学侵蚀；此外，磷化钴充当线路和与磷化钴保护线路接触的任何其他材料之间的相互扩散阻挡层；在一个特定示例中，磷化钴充当铜和金之间的相互扩散阻挡层；图1和2表示需要防止化学侵蚀和相互扩散的典型结构；在图1中，基板10上具有包括导体12的第一导电层； 这些导体通常是铜、铜合金或其他通常含有铜的材料；因此，导体12由易受腐蚀性材料组成；为此， 在导体12上沉积薄的保护涂层14或包覆层；绝缘层16，通常是有机介电质，例如聚酰亚胺，沉积在受保护的导体12上；在许多多层封装中，将提供另一层易受腐蚀导体18，其也由磷化钴保护层20保护；随后沉积第二绝缘层22，其也可以由有机介电质如聚酰亚胺组成；最后，提供第三导电层24，其用于图1所示的整个微电子封装中的其他载流或接触功能。 本领域技术人员根据证据5公开的内容可以理解，证据5为微电子电路封装结构，未公开多层基板；证据5中第二绝缘层22与绝缘层16不同于本专利的上包覆介电层和下包覆介电层；另外，证据5采用的保护层为磷化钴，属于化合物，因此证据5中磷化钴保护层20不同于本专利的上包覆金属层。 权利要求13与证据5相比至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层，形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”，因此权利要求13与证据5相比存在实质区别。因此，权利要求13相对于证据5具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 6.5.2.3 证据11证据11公开了一种制造微电路导体图案的方法。 如上文6.1.3所述证据11所公开内容，本领域技术人员可以确定权利要求13与证据11相比至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层，形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”，因此权利要求13与证据11相比存在实质区别。因此，权利要求13相对于证据11具备专利法第22条第2款规定的新颖性。 7. 关于专利法第22条第3款专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。 一项权利要求与作为最接近现有技术的证据相比存在区别技术特征，如果其他证据没有公开该区别技术特征因此没有给出相应结合启示，没有证据表明该区别技术特征是本领域的公知常识，且该权利要求由于包括该区别技术特征可以实现有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。 7.1 关于独立权利要求1请求人主张：权利要求1相对于证据9、10、11不具备新颖性，所以不具备创造性；权利要求1相对于证据9、10、11分别作为最接近现有技术的前述证据组合方式不具备创造性。 如上文6.1所述，权利要求1相对于证据9、10、11具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.1所述，权利要求1相比证据9至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层”。证据11未公开该区别技术特征，没有证据表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。 权利要求1由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求1相对于请求人所主张以证据9作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 基于类似理由，权利要求1相对于请求人所主张以证据10和11作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.2 关于从属权利要求2-8从属权利要求2-8是权利要求1的从属权利要求。请求人主张权利要求2-8不具备创造性是基于权利要求1不具备创造性为前提。如上文7.1所述，请求人关于权利要求1不具备创造性的理由均不成立。 另外，请求人在评价该些从属权利要求的创造性时还引入了其他证据，但该些证据并未用于权利要求1的创造性评述。因此，在其关于权利要求1不具备创造性的理由不成立的情况下，权利要求2-8不具备创造性的理由也均不成立。 7.3 关于独立权利要求9请求人主张权利要求9相对于证据1、2、3、4、5、6分别作为最接近现有技术的证据组合方式不具备创造性。 7.3.1 以证据1作为最接近现有技术如上文6.3.1所述，权利要求9相对于证据1具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.3.1所述，权利要求9相比证据1至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 （1）证据2如上文6.3.2所述，证据2没有公开上述区别技术特征。 （2）证据3证据3公开了一种铜-铬-聚酰亚胺复合材料，并具体公开了（参见中文译文说明书第2页第1段、 第3页倒数第3段、第4页第2段至第5页第1段，图1-2）如下技术特征：本发明总体上涉及用于制造柔性电路的金属覆介电薄板，更具体地涉及对镀金和镀锡液的底切具有更好抵抗力的覆铜聚酰亚胺； 金属覆介电质薄板特别适用于梁式载带技术，可用于将半导体芯片和基板的自动粘接，以及可用于柔性印刷电路板；典型的梁式载带由具有金属覆层如铜的介电质如聚酰亚胺组成，金属覆层被蚀刻以形成一系列直接粘接到半导体芯片上的独立的梁；根据本发明的目的，柔性载带可包括一层尺寸稳定的聚酰亚胺薄膜；一层气相沉积在聚酰亚胺上的金属铬；和一层电沉积在铬层上的铜；前述载带在浸入镀金或镀锡液时，对底切和分层具有更好的抵抗力；由于铬被沉积在聚酰亚胺上，导体可以很容易地在聚酰亚胺薄膜的两面形成；在图1中，载带10显示有聚酰亚胺层12，溅射铬层14，和电沉积铜层16。在图2中，载带10已被蚀刻，形成两个铜梁20和22，随后被镀上金18。 可见，证据3没有公开上述区别技术特征。 （3）证据5证据5公开了一种电子封装。如上文6.5.2.2所述证据5公开内容可知，证据5没有公开上述区别技术特征。 （4）证据6证据6公开了一种线路板，并具体公开了（参见说明书4页第21行至第10页第30行，图1-6）如下技术特征：导电层14被一个薄的金属膜22所覆盖，然后覆盖着一个绝缘材料的遮盖层18，如图5所示；具体的，首先在导电层14的表面上和支撑板12的表面上都形成薄的金属膜22，如图5(a)所示；最好是通过无电解的铢电锁以硬银薄膜的形式形成薄的金属膜22；涂层22需要具有一定的厚度以便避免导电层14裸露。 可见，证据6没有公开上述区别技术特征。 （5）证据9证据9公开了一种层叠图案的形成方法。如上文6.1.1所述证据9公开内容可知，证据9没有公开上述区别技术特征。 综上所述，证据2、3、5、6、9均未公开该区别技术特征，在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，即使将上述证据按照请求人所主张的方式组合得到该区别技术特征也是非显而易见的。权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求9相对于请求人所主张以证据1作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.3.2 以证据2作为最接近现有技术如上文6.3.2所述，权利要求9相对于证据2具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.3.2所述，权利要求9相比证据2至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求9相对于请求人所主张以证据2作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.3.3 以证据3作为最接近现有技术如上文7.3.1所述，权利要求9相比证据3至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 证据4公开了一种传输线及其制造方法，并具体公开了（参见中文译文说明书第11栏倒数第2段至第14栏第2段，图4a-4e、10a-10c）：图4(a)-4(e)是描述第一实施方案的高隔离传输线的制造方法的截面图；首先，如图4(a)所示，在基板1的前表面形成一个凹槽；如图4(b)所示通过沉积良好的导体，在凹槽的内表面和基板的前表面形成第一金属化膜4；如图4(c)所示，陷入介电5沉积在整个表面； 如图4(d)所示，蚀刻陷入介电5的整个表面，留下一个预定厚度；最后，在陷入介电5上金属化金属化膜的导线3，在基板1的后表面金属化接地导体2，如图4(e)；第四实施方案的传输线包括第一实施方案和在第一介电5和导线3上形成的第二介电6，以及在介电6的上表面和侧面上形成的第二金属化膜8，第二金属化膜8连接到第一金属化膜4；在第四实施方案的高隔离传输线中，导线3通过形成第二金属化膜8而被密封，因此，传输线具有出色的电磁场约束；它不仅防止了横向的泄漏，而且也防止了纵向的泄漏，大大地提高了传输线的传输效率。 可见，证据4没有公开上述区别技术特征。 如上文7.3.1所述，证据1、2、5没有公开上述区别技术特征。 综上所述，证据1、2、4、5均未公开该区别技术特征，在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，即使将上述证据按照请求人所主张的方式组合得到该区别技术特征也是非显而易见的。 权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求9相对于请求人所主张以证据3作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.3.4 以证据4作为最接近现有技术如上文7.3.3所述，权利要求9相比证据4至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 证据8公开了一种集成电路，并具体公开了（参见中文译文说明书第4栏倒数第1段至第5栏第1段，图4）：参考图4，在各向异性蚀刻的第二绝缘层28上布设导电层35，以形成公共导电层，该公共导电层主要与蚀刻的第二绝缘材料28上的线16、18和20共同延伸，并且有效地同轴；这种公共层35是共同延伸的，因为其优选地沿着线16、18和20的大部分或主要长度连续延伸。在优选实施例中，由此有效地形成了一系列同轴导线。公 共 层35优选地由金属构成，例如与制造线16、18和20相同的金属材料；层35可以根据需要进行构图，并且通常连接到地或其他合适的电位，以提供所需的共延屏蔽效果，防止相邻或其他邻近导线之间的串扰。 可见，证据8没有公开上述区别技术特征。 如上文7.3.1所述，证据2、5没有公开上述区别技术特征。 综上所述，证据2、5、8均未公开该区别技术特征，在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，即使将上述证据按照请求人所主张的方式组合得到该区别技术特征也是非显而易见的。 权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求9相对于请求人所主张以证据4作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.3.5 以证据5作为最接近现有技术如上文7.3.1所述，权利要求9相比证据5至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 如上文7.3.3所述，证据1、2、4没有公开上述区别技术特征。在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求9相对于请求人所主张以证据5作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.3.6 以证据6作为最接近现有技术如上文7.3.1所述，权利要求9相比证据6至少包括区别技术特征“该结构包括一上包覆金属层， 形成于金属线路的一上表面以及两侧表面”。 如上文7.3.3所述，证据1、2、4、5没有公开上述区别技术特征。在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，即使将上述证据按照请求人所主张的方式组合得到该区别技术特征也是非显而易见的。权利要求9由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。 因此权利要求9相对于请求人所主张以证据6作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.4 关于从属权利要求10-12从属权利要求10-12是权利要求9的从属权利要求。请求人主张权利要求10-12不具备创造性是基于权利要求9不具备创造性为前提。如上文7.3所述，请求人关于权利要求9不具备创造性的理由均不成立。另外，请求人在评价该些从属权利要求的创造性时还引入了其他证据，但该些证据并未用于权利要求9的创造性评述。因此，在其关于权利要求9不具备创造性的理由不成立的情况下，权利要求10-12不具备创造性的理由也均不成立。 7.5 关于独立权利要求13请求人主张：权利要求13相对于证据2、4、5、7、8、11分别作为最接近现有技术的证据组合方式不具备创造性。 专利权人认为：请求人在请求书中评价原权利要求27的创造性时未主张以证据5和11作为最接近现有技术，权利要求13是由原权利要求27修改而来，因此请求人主张以证据5和11作为最接近现有技术评价权利要求13不具备创造性的理由超出了其主张无效理由的期限。 7.5.1 关于审查范围基于与上文6.5.1类似的理由，合议组认为将证据5和11作为最接近现有技术评价权利要求13创造性的无效理由纳入审查范围，符合无效宣告程序中增加无效理由的规定，对专利权人的主张不予支持。 7.5.2 关于权利要求13创造性的具体判断7.5.2.1 以证据2作为最接近现有技术如上文6.5.2.1所述，权利要求13相对于证据2具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.5.2.1所述，权利要求13相比证据2至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据2作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.5.2.2 以证据4作为最接近现有技术如上文7.3.3所述证据4公开内容可知，权利要求13相比证据4至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 （1）证据7证据7公开了一种配线体，并具体公开了（参见中文译文说明书第4栏第2段至第9栏第1段， 图1、5-6）：图1表示本发明之一实施例之配线体；该图中，第1导体层1例如包含铜箔，于该第1导体层1上形成有复数个平行的带状之第1绝缘体层2，该带状之第1绝缘体层2由有机绝缘体膜、例如聚酰亚胺或铁氟龙之薄膜形成；于该等第1绝缘层2上形成有例如包含无电解镀铜或铜箔之配线图案3，进而于该配线图案3上形成有与第1绝缘层2相同之第2绝缘层4；然后，于第1导体层1之露出部分及第2绝缘层4上形成与第1导体层1相同之第2导体层5；图5所示之实施例系于陶瓷基板30上一体形成配线体10；即，配线体10之第1导体层1于该例中系于陶瓷基板30上藉由厚膜印刷等而覆盖形成，于该第1导体层1上形成有第1绝缘层2，于该第1绝缘层2上藉由光蚀刻法而形成有配线图案3；形成配线图案3后，依序形成第2绝缘层4及第2导体层5，藉此于陶瓷基板30上一体形成与图1相同之同轴构造之配线体10；图5之实施例亦能应用于多层配线；图6中，形成于陶瓷基板30上之第1配线体10a中之第2导体层5之表面系平坦地形成，并于其上形成构成与第1配线体10a完全相同之第2配线体10b。 可见，证据7没有公开该区别技术特征。 （2）证据12证据12公开了一种具有电容器的半导体器件，并具体公开了（参见说明书第5页倒数第2段至第7页第3段，图1A-1F）：如图lA所示，在半导体衬底1上边形成将成为绝缘隔离层的绝缘膜2；然后在上述绝缘膜2上边形成第1层间绝缘膜3；如图lB所示，用CVD化学汽相淀积法向上述笫1层间绝缘膜3上边淀积SiN膜7；该SiN膜7是用来防止铜的扩散和氧化的势垒膜；接着，用溅射法向上述势垒膜7上边淀积约40nm的笫lTiN膜8；用CVD法向上述笫lTiN膜8上边淀积约50nm的SiN膜9； 用溅射法向上述SiN膜9上边淀积约300nm的笫2TiN膜10。 可见，证据12没有公开该区别技术特征。 （3）证据13证据13公开了一种布线基板，并具体公开了（参见中文译文说明书第0016段）：通过使用相同的材料作为第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层接合在一起，并且作为信号线的金属布线层置于所述第一和第二绝缘层的大致中央位置，这样信号线就被相同的绝缘材料所包围；由此，能够在线路的延伸方向上获得具有均匀阻抗特性的同轴线路结构，从而获得在较高的频率下具有稳定传输特性的布线基板。 可见，证据13没有公开该区别技术特征。 综上可见，证据7、12、13没有公开上述区别技术特征；如上文6.5.2.1所述，证据2没有公开该区别技术特征；如上文7.3.4所述证据8公开内容可知，证据8没有公开该区别技术特征；在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识；即使将上述证据按照请求人所主张的方式组合得到该区别技术特征也是非显而易见的。权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据4作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.5.2.3 以证据5作为最接近现有技术如上文6.5.2.2所述，权利要求13相对于证据5具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.5.2.2所述，权利要求13相比证据5至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据5作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.5.2.4 以证据7作为最接近现有技术如上文7.5.2.2所述证据7公开内容可知，权利要求13相比证据7至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 证据17公开了一种多层薄膜电极，并具体公开了（参见说明书第3页第12行至第6页第2段， 图1-3）：多层薄膜电极100是以一定次序叠加在介电衬底10上的粘附导电膜20-5、薄导电膜3、粘附导电膜20-4、薄介电膜30-2、粘附导电膜20-3、薄导电膜2、粘附导电膜20-2、薄介电膜30-1、粘附导电膜20-1、和薄导电膜1组成。 可见，证据17没有公开该区别技术特征。 同时，如上文6.3.1所述证据1公开内容可知，证据1没有公开该区别技术特征。如上文7.3.1所述证据3和证据6公开内容可知，证据3和证据6没有公开该区别技术特征。如上文6.5.2所述，证据5和证据11没有公开该区别技术特征。如上文6.1.1所述证据9公开内容可知，证据9没有公开该区别技术特征。在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。 权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据7作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.5.2.5 以证据8作为最接近现有技术如上文7.3.4所述证据8公开内容可知，权利要求13相比证据8至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 如上文7.5.2.4所述，证据1、3、5、6、9、11、17均没有公开该区别技术特征。在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据8作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 7.5.2.6 以证据11作为最接近现有技术如上文6.5.2.3所述，权利要求13相对于证据11具备新颖性，因此请求人主张其不具备新颖性所以不具备创造性的理由不成立。 如上文6.5.2.3所述，权利要求13相比证据11至少包括区别技术特征“在该金属线路的表面形成至少一上包覆金属层，该上包覆金属层包覆该金属线路的上表面及两侧表面”。 在案证据不能表明该区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求13由于包括该区别技术特征可以实现提高多层基板可靠度和良率的技术效果。因此权利要求13相对于请求人所主张以证据11作为最接近现有技术的证据组合方式具备专利法第22条第3款规定的创造性。 综上，请求人主张的无效理由均不成立。 基于此，合议组依法作出如下决定。

宣告200710109225.0号发明专利权部分无效； 在专利权人于2025年05月14日提交的权利要求1-13的基础上维持本专利权有效。 当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。 合议组组长：周亚娜主审员：罗崇举 专利局复审和无效审理部参审员：倪敬涵